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IDT7M145S70CB

更新时间： 2024-01-31 16:54:33

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS, CDMA58

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IDT7M145S70CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.88
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDMA-T58
JESD-609代码：	e0	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	58	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP58,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流：	0.24 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M145S90CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 90ns, CMOS, CDMA58
IDT7M164L100CC	IDT	获取价格	SRAM Module, 64KX1, 100ns, CMOS, CDIP22
IDT7M164L150CC	IDT	获取价格	SRAM Module, 64KX1, 150ns, CMOS, CDIP22
IDT7M203S100C	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 100ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S100CB	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 100ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S140C	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 140ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S140CB	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 140ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S40C	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S50C	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7M203S50CB	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28