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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M164L150CC | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX1, 150ns, CMOS, CDIP22 |
|
| IDT7M203S100C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 100ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S100CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 100ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S140C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 140ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S140CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 140ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S40C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S50C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M203S50CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M203S55C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M203S55CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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