Datasheet > IDT72V3660L6BB8

IDT72V3660L6BB8

更新时间： 2024-11-25 14:51:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	462K
描述
FIFO, 4KX36, 4ns, Synchronous, CMOS, PBGA144, 13 X 13 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-144

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT72V3660L6BB8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA144,12X12,40	针数：	144
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4 ns
其他特性：	RETRANSMIT; AUTO POWER DOWN; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
周期时间：	6 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	144
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4KX36
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.97 mm	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	FIFOs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

IDT72V3660L6BB8 数据手册

3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO

1,024 x 36, 2,048 x 36

4,096 x 36, 8,192 x 36

16,384 x 36, 32,768 x 36

IDT72V3640,IDT72V3650

IDT72V3660,IDT72V3670

IDT72V3680, IDT72V3690

• Zero latency retransmit

FEATURES:

• Auto power down minimizes standby power consumption

• Master Reset clears entire FIFO

• Partial Reset clears data, but retains programmable settings

• Empty, Full and Half-Full flags signal FIFO status

• Programmable Almost-Empty and Almost-Full flags, each flag can

default to one of eight preselected offsets

• Selectable synchronous/asynchronous timing modes for Almost-

Empty and Almost-Full flags

• Program programmable flags by either serial or parallel means

• Select IDT Standard timing (using EF and FF flags) or First Word

Fall Through timing (using OR and IR flags)

• Output enable puts data outputs into high impedance state

• Easily expandable in depth and width

• JTAG port, provided for Boundary Scan function (PBGA Only)

• Independent Read and Write Clocks (permit reading and writing

simultaneously)

• Availableina128-pinThinQuadFlatPack(TQFP)ora144-pinPlastic

Ball Grid Array (PBGA) (with additional features)

• High-performance submicron CMOS technology

• Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

• Choose among the following memory organizations:Commercial

IDT72V3640

IDT72V3650

IDT72V3660

IDT72V3670

IDT72V3680

IDT72V3690



1,024 x 36

2,048 x 36

4,096 x 36

8,192 x 36

16,384 x 36

32,768 x 36

• Up to 166 MHz Operation of the Clocks

• UserselectableAsynchronous readand/orwriteports (PBGAOnly)

• User selectable input and output port bus-sizing

- x36 in to x36 out

- x36 in to x18 out

- x36 in to x9 out

- x18 in to x36 out

- x9 in to x36 out

• Pin to Pin compatible to the higher density of IDT72V36100 and

IDT72V36110

• Big-Endian/Little-Endian user selectable byte representation

• 5V input tolerant

• Fixed, low first word latency

FUNCTIONALBLOCKDIAGRAM

*Available on the PBGA package only.

D0 -Dn (x36, x18 or x9)

LD SEN

WEN

WCLK/WR

INPUT REGISTER

OFFSET REGISTER

FF/IR

PAF

EF/OR

PAE

FLAG

LOGIC

WRITE CONTROL

LOGIC

ASYW

FWFT/SI

PFM

RAM ARRAY

FSEL0

FSEL1

1,024 x 36, 2,048 x 36

4,096 x 36, 8,192 x 36

16,384 x 36, 32,768 x 36

WRITE POINTER

READ POINTER

CONTROL

LOGIC

READ

CONTROL

LOGIC

ASYR

OUTPUT REGISTER

BUS

CONFIGURATION

MRS

PRS

RESET

LOGIC

RCLK/RD

REN

TCK

TRST

JTAG CONTROL

(BOUNDARY SCAN)

TMS

TDI

TDO

4667 drw01

Q0 -Qn (x36, x18 or x9)

IDT and the IDT logo are a registered trademarks of Integrated Device Technology, Inc. The SuperSync II FIFO is a trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL AND INDUSTRIAL TEMPERATURE RANGES

SEPTEMBER 2003



DSC-4667/12

12 3 4 5 6 7...46

中文翻译

下载PDF

与IDT72V3660L6BB8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT72V3660L6PFG	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 4ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, GREEN, PLASTIC, TQFP-128
IDT72V3660L6PFG8	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 4ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, GREEN, PLASTIC, TQFP-128
IDT72V3660L7-5BBI	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA144
IDT72V3660L75PF	IDT	获取价格	3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC⑩ II 36-BIT FI
IDT72V3660L7-5PF	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT72V3660L7-5PF9	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT72V3660L7-5PFG	IDT	获取价格	FIFO, 4KX36, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, GREEN, PLASTIC, TQFP-128
IDT72V3662	IDT	获取价格	3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO
IDT72V3662L10PF	IDT	获取价格	3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO
IDT72V3662L10PF8	IDT	获取价格	Bi-Directional FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120

与IDT72V3660L6BB8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT72V3660L6BB8

IDT72V3660L6BB8 技术参数

IDT72V3660L6BB8 数据手册

与IDT72V3660L6BB8相关器件

与IDT72V3660L6BB8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT72V3660L6BB8

IDT72V3660L6BB8 技术参数

IDT72V3660L6BB8 数据手册

与IDT72V3660L6BB8相关器件

与IDT72V3660L6BB8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？