是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP128,.63X.87,20 | 针数: | 128 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.16 |
最长访问时间: | 5 ns | 其他特性: | RETRANSMIT; AUTO POWER DOWN; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE |
最大时钟频率 (fCLK): | 133.3 MHz | 周期时间: | 7.5 ns |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G128 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 147456 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 128 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4KX36 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装等效代码: | QFP128,.63X.87,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V3662 | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO | |
IDT72V3662L10PF | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO | |
IDT72V3662L10PF8 | IDT |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3662L10PF9 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3662L10PFG | IDT |
获取价格 |
暂无描述 | |
IDT72V3662L10PFG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3662L10PQF | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO | |
IDT72V3662L10PQF9 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 | |
IDT72V3662L10PQFG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, GREEN, PLASTIC, QFP-132 | |
IDT72V3662L15PF | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO |