是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | BQFP, SPQFP132,1.1SQ | 针数: | 132 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.89 |
最长访问时间: | 6.5 ns | 其他特性: | MAIL BOX BYPASS REGISTER |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | 周期时间: | 10 ns |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.13 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | BI-DIRECTIONAL FIFO | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 132 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX36 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BQFP |
封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, BUMPER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | FIFOs |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 24.13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V3642L10PQFG | IDT |
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暂无描述 | |
IDT72V3642L12PF8 | IDT |
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FIFO, 1KX36, 8ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3642L12PF9 | IDT |
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FIFO, 1KX36, 8ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3642L12PQF | IDT |
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Bi-Directional FIFO, 1KX36, 8ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 | |
IDT72V3642L12PQF9 | IDT |
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FIFO, 1KX36, 8ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 | |
IDT72V3642L15PF | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO 256 x 36 x 2 512 x 36 x 2 1,024 x 36 x 2 | |
IDT72V3642L15PF9 | IDT |
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FIFO, 1KX36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3642L15PFG | IDT |
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FIFO, 1KX36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP120, TQFP-120 | |
IDT72V3642L15PQF | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO 256 x 36 x 2 512 x 36 x 2 1,024 x 36 x 2 | |
IDT72V3642L15PQF9 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 |