是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | PGA | 包装说明: | CAVITY-UP, PGA-68 |
针数: | 68 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.77 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 20 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 28.6 MHz |
周期时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.464 mm |
内存密度: | 36864 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA68,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.207 mm | 最大待机电流: | 0.085 A |
子类别: | FIFOs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 宽度: | 29.464 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72235LB35J | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB35JB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB35PF | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB35PFB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB35TF | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB35TFB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB50FB | IDT |
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FIFO, 2KX18, 25ns, Synchronous, CMOS, QFP-68 | |
IDT72235LB50G | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB50GB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72235LB50J | IDT |
获取价格 |
CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 |