是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 22.2 MHz | 周期时间: | 45 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.576 mm | 内存密度: | 589824 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX9 | |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.699 mm | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7208L35J | IDT |
类似代替 |
PLCC-32, Tube | |
7208L35J8 | IDT |
类似代替 |
PLCC-32, Reel | |
IDT7208L35J | IDT |
功能相似 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 65,536 x 9 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7208L35PDG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 64KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7208L35PG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35PGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35SOG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35TDG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35TDGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35TPG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L35TPGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L40DG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7208L40DGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |