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IDT7208L35J

更新时间： 2024-11-26 22:35:11
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艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
12页 151K
描述
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 65,536 x 9

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IDT7208L35J 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.65
最长访问时间：35 ns其他特性：RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)：22.2 MHz周期时间：45 ns
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.9954 mm内存密度：589824 bit
内存集成电路类型：OTHER FIFO内存宽度：9
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX9可输出：NO
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大待机电流：0.008 A子类别：FIFOs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：11.4554 mmBase Number Matches：1

IDT7208L35J 数据手册

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ADVANCED  
INFORMATION  
IDT7208  
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO  
65,536 x 9  
Integrated Device Technology, Inc.  
internal pointers that load and empty data on a first-in/first-out  
basis. The device uses Full and Empty flags to prevent data  
overflow and underflow and expansion logic to allow for  
unlimited expansion capability in both word size and depth.  
Data is toggled in and out of the device through the use of  
the Write (W) and Read (R) pins.  
FEATURES:  
• 65536 x 9 storage capacity  
• High-speed: 15ns access time  
• Low power consumption  
— Active: 660mW (max.)  
— Power-down: 44mW (max.)  
The device's 9-bit width provides a bit for a control or parity  
at the user’s option. It also features a Retransmit (RT) capa-  
bilitythatallowsthereadpointertoberesettoitsinitialposition  
when RT is pulsed LOW. A Half-Full Flag is available in the  
single device and width expansion modes.  
• Asynchronous and simultaneous read and write  
• Fully expandable in both word depth and width  
• Pin and functionally compatible with IDT720x family  
• Status Flags: Empty, Half-Full, Full  
• Retransmit capability  
The IDT7208 is fabricated using IDT’s high-speed CMOS  
technology. It is designed for applications requiring asynchro-  
nous and simultaneous read/writes in multiprocessing, rate  
buffering, and other applications.  
• High-performance CMOS technology  
• Industrial temperature range (-40oC to +85oC) is avail-  
able, tested to military electrical specifications  
DESCRIPTION:  
The IDT7208 is a monolithic dual-port memory buffer with  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
DATA INPUTS  
0
)
(D –D8  
WRITE  
CONTROL  
W
RAM ARRAY  
65,536 x 9  
WRITE  
POINTER  
READ  
POINTER  
THREE-  
STATE  
BUFFERS  
RS  
DATA OUTPUTS  
(Q0  
)
–Q 8  
READ  
CONTROL  
RESET  
LOGIC  
R
FLAG  
LOGIC  
EF  
FF  
FL/RT  
EXPANSION  
LOGIC  
XO/HF  
XI  
3274 drw 01  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES  
DECEMBER 1996  
For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.  
1996 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC-3274/1  
5.06  
1
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