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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.28 |
| 最长访问时间： | 8.5 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 87 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.07 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.21 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V67703S85BGI | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, |
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| IDT71V67703S85BQ | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, |
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| IDT71V67703S85BQI | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, |
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| IDT71V67703S85PF | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, |
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| IDT71V67703S85PFG8 | IDT |
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Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
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| IDT71V67703S85PFI | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, |
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| IDT71V67703S85PFI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
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| IDT71V67802 | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin |
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| IDT71V67802133BG | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin |
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| IDT71V67802133BGI | IDT |
获取价格 |
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin |
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