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IDT71V67603S166PFG

更新时间： 2024-01-27 15:38:17

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
23页	987K
描述
256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

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IDT71V67603S166PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.42
最长访问时间：	3.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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256K X 36, 512K X 18

3.3VSynchronousSRAMs

3.3V I/O, Burst Counter

IDT71V67603

IDT71V67803

PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features

256K x 36/512K x 18. The IDT71V67603/7803 SRAMs contain write,

data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to

generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil

theendofthewritecycle.

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆

Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V67603/7803canprovidefourcyclesof

dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆

3.3V core power supply

◆

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O supply (VDDQ)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

◆

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

The IDT71V67603/7803 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm100-

pin thinplasticquadflatpack(TQFP), a119ballgridarray(BGA) and a 165

fine pitchballgridarray(fBGA).

Description

The IDT71V67603/7803 are high-speed SRAMs organized as

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁸

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS⁰, CS1

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW4

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

V^SS

N/A

5310 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.

SEPTEMBER 2004

DSC-5310/06

12 3 4 5 6 7...23

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与IDT71V67603S166PFG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V67603S166PFG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF
IDT71V67603S166PFGI	IDT	获取价格	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin
IDT71V67603Z133BGGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
IDT71V67603Z150PFGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO
IDT71V67613S183BQ	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165
IDT71V67613S200BG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67702	IDT	获取价格	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67702S75B	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67702S75BG	IDT	获取价格	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs,
IDT71V67702S75BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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