是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.52 |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 28.575 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ44,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.683 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V416S12Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
IDT71V416S12YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) | |
IDT71V416S12YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) | |
IDT71V416S12YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
IDT71V416S15BEG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) | |
IDT71V416S15BEGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) | |
IDT71V416S15BEI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | |
IDT71V416S15BEI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | |
IDT71V416S15PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
IDT71V416S15PH8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |