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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.66 |
| 最长访问时间： | 10 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V416VL10PHGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL10YG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL10YGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL12BE8 | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 |
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| IDT71V416VL12BEG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL12BEGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL12PH8 | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| IDT71V416VL12PHG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416VL12PHG8 | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
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| IDT71V416VL12PHGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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