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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.22 |
| 最长访问时间： | 12 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V416S12BEG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416S12BEG8 | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-48 |
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| IDT71V416S12BEGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416S12PH | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| IDT71V416S12PHG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416S12PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416S12Y | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (256K x 16-BIT) |
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| IDT71V416S12Y8 | IDT |
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Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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| IDT71V416S12YG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416S12YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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