5秒后页面跳转
IDT71V3579YS85BGI PDF预览

IDT71V3579YS85BGI

更新时间: 2024-11-08 09:28:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 236K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

IDT71V3579YS85BGI 数据手册

 浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IDT71V3579YS85BGI的Datasheet PDF文件第11页 
IDT71V3577YS_79YS, IDT71V3577YSA_79YSA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 128K x 36, 165 fBGA  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
(4)  
A
B
C
D
E
F
NC  
A
7
A
8
NC  
CE  
1
BW  
3
BW  
2
CS  
1
BWE  
GW  
ADSC  
OE  
ADV  
ADSP  
(4)  
NC  
A6  
CS  
0
CLK  
A9  
NC  
BW4  
BW1  
I/OP3  
I/O17  
I/O19  
I/O21  
I/O23  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
V
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
10  
11  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
NC  
I/OP2  
I/O14  
I/O12  
I/O10  
I/O16  
I/O18  
I/O20  
I/O22  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
I/O15  
I/O13  
I/O11  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
G
H
J
VDDQ  
V
V
V
V
V
V
I/O  
NC  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
NC  
9
I/O8  
(3)  
V
SS(1)  
NC  
V
V
V
V
V
NC  
ZZ  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O25  
I/O27  
I/O29  
I/O31  
I/OP4  
NC  
I/O24  
I/O26  
I/O28  
I/O30  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
V
V
V
V
V
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
13  
7
6
K
L
M
N
P
V
V
V
V
V
V
V
5
4
V
V
V
V
V
V
V
3
2
V
V
V
V
V
V
V
1
0
NC/TRST(2, 5)  
(4)  
V
V
NC  
NC  
V
V
I/OP1  
(4)  
(2)  
(2)  
(4)  
NC  
A5  
A2  
NC/TDI  
A1  
NC/TDO  
A
A
A14  
NC  
(4)  
(2)  
R
NC  
A4  
A3  
NC/TMS(2)  
A0  
NC/TCK  
A
A12  
A15  
A16  
LBO  
6450 tbl 17  
Pin Configuration – 256K x 18, 165 fBGA  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
(4)  
A
B
C
D
E
F
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A
7
NC  
A
8
A10  
CE  
1
BW  
2
CS  
1
BWE  
GW  
ADSC  
OE  
ADV  
ADSP  
(4)  
A6  
CS  
0
NC  
CLK  
A9  
NC  
BW1  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
V
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
11  
12  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
I/OP1  
I/O  
8
V
V
V
V
V
V
V
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
7
I/O  
9
V
V
V
V
V
V
V
6
I/O10  
I/O11  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
5
G
H
J
VDDQ  
V
V
V
V
V
V
4
(3)  
V
SS(1)  
I/O12  
I/O13  
I/O14  
I/O15  
I/OP2  
NC  
NC  
V
V
V
V
V
NC  
ZZ  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
V
V
V
V
V
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
14  
13  
I/O  
I/O  
I/O  
3
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
K
L
M
N
P
NC  
V
V
V
V
V
V
V
2
NC  
V
V
V
V
V
V
V
1
NC  
V
V
V
V
V
V
V
I/O  
0
(4)  
NC  
V
V
NC/TRST(2, 5)  
NC  
NC  
V
V
NC  
(4)  
(2)  
(2)  
(4)  
NC  
A5  
A2  
NC/TDI  
A1  
NC/TDO  
A
A
A15  
NC  
(4)  
(2)  
R
NC  
A4  
A3  
NC/TMS(2)  
A0  
NC/TCK  
A
A
A16  
A17  
LBO  
6450 tbl 17a  
NOTES:  
1. H1 does not have to be directly VSS as long as input voltage is < VIL  
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.  
3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M, 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.  
5. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
6.482  

与IDT71V3579YS85BGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V3579YS85BQ IDT

获取价格

Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V3579YS85BQG IDT

获取价格

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579YS85BQGI IDT

获取价格

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579YS85BQI IDT

获取价格

Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V3579YS85BQI8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3579YS85PF IDT

获取价格

Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V3579YS85PFG IDT

获取价格

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579YS85PFGI IDT

获取价格

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579YS85PFGI8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
IDT71V3579YS85PFI8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100