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IDT71V3579S85BQGI

更新时间： 2024-01-22 08:11:12
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 计数器存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 522K
描述
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V3579S85BQGI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.55最长访问时间：8.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：87 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.035 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
宽度：14 mm

IDT71V3579S85BQGI 数据手册

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IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA  
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U
5280 drw 02c  
Top View  
Pin Configuration – 256K x 18, 119 BGA  
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A
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ZZ(3)  
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A
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NC/TDO(2)  
DDQ  
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NC/TMS(2) NC/TDI(2) NC/TCK(2)  
NC/TRST(2,4)  
U
V
5280 drw 02d  
,
Top View  
NOTES:  
1. R5 does not have to be directly connected to VSS as long as the input voltage is < VIL.  
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.  
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
4. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
6.42  
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与IDT71V3579S85BQGI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT71V3579S85PF IDT Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100

获取价格
IDT71V3579S85PF8 IDT Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579S85PF9 IDT Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579S85PFG IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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IDT71V3579S85PFGI IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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IDT71V3579S85PFGI8 IDT Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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