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IDT71V35761S166BG8

更新时间： 2024-11-15 15:34:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	324K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IDT71V35761S166BG8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.81	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.32 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V35761S166BG8 数据手册

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128K x 36

IDT71V35761YS/S

IDT71V35761YSA/SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

128K x 36 memory configurations

The IDT71V35761 are high-speed SRAMs organized as

◆

Supports high system speed:

128Kx36.TheIDT71V35761SRAMscontainwrite,data,addressand

controlregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timed

writebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritecycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V35761canprovidefourcyclesofdatafor

a single address presented to the SRAM. An internal burst address

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 andthe LBO inputpin.

compliant)

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

◆

The IDT71V35761 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

◆

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball 100-pin thinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

grid array

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array.

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

, CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW , BW

(1)

, BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

TRST

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

I/O

-I/O31, I/OP1-I/OP4

DD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

5301 tbl 01

MAY 2010

DSC-5301/05

12 3 4 5 6 7...21

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IDT71V35761S166BG8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71V35761S166BG	IDT	功能相似	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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IDT71V35761S166BGG	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S166BGG8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S166BGGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S166BGGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V35761S166BQ	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S166BQ8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V35761S166BQG	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V35761S166BQGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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