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IDT71V3558XS133PFGI

更新时间： 2024-11-14 14:51:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	637K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100

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IDT71V3558XS133PFGI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.045 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V3558XS133PFGI 数据手册

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IDT71V3556S/XS

IDT71V3558S/XS

IDT71V3556SA/XSA

IDT71V3558SA/XSA

128K x 36, 256K x 18

3.3VSynchronousZBTSRAMs

3.3V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

Description

Features

◆

TheIDT71V3556/58are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-

bit) synchronous SRAMS. They are designed to eliminate dead bus

cycles when turning the bus around between reads and writes, or

writes and reads. Thus, they have been given the name ZBT^TM, or

Zero Bus Turnaround.

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆

Supports high performance system speed - 200 MHz

(3.2 ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read

◆

cycles

◆

Address and control signals are applied to the SRAM during one

clockcycle,andtwocycleslatertheassociateddatacycleoccurs,beit

read or write.

The IDT71V3556/58 contain data I/O, address and control signal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

A Clock Enable (CEN) pin allows operation of the IDT71V3556/58

to be suspended as long as necessary. All synchronous inputs are

ignored when (CEN) is high and the internal device registers will hold

their previous values.

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

◆

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

3.3V power supply (±5%), 3.3V I/O Supply (VDDQ)

Optional- Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

◆

Therearethreechipenablepins(CE¹,CE2,CE2)thatallowtheuser

to deselect the device when desired. If any one of these three are not

asserted when ADV/LD is low, no new memory operation can be

initiated. However, any pending data transfers (reads or writes) will be

completed.Thedatabuswilltri-statetwocyclesafterchipisdeselected

orawriteisinitiated.

compliant)

◆

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA)

PinDescriptionSummary

-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

1, CE

, CE

Output Enable

R/W

Read/Write Signal

Clock Enable

CEN

Individual Byte Write Selects

Clock

1, BW

, BW

CLK

ADV/LD

LBO

TMS

TDI

Advance burst address / Load new address

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

Static

Synchronous

N/A

TCK

Test Clock

TDO

TRST

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

Static

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

I/O

0-I/O31, I/OP1-I/OP4

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD, VDDQ

Supply

Static

5281 tbl 01

FEBRUARY 2009

DSC-5281/09

12 3 4 5 6 7...28

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IDT71V3558XS133PFGI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71V3558S133PFI8	IDT	完全替代	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

与IDT71V3558XS133PFGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V3558XS133PFGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
IDT71V3558XS166BG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3558XS166BGG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BG
IDT71V3558XS166BGG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3558XS166BGGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V3558XS166BGGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3558XS166BQG	IDT	获取价格	3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V3558XS166BQGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V3558XS166BQGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3558XS166BQI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165

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