Datasheet > IDT71V321L25JI8

IDT71V321L25JI8

更新时间： 2024-11-04 14:51:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	126K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V321L25JI8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	PLASTIC, LCC-52	针数：	52
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J52	JESD-609代码：	e0
长度：	19.1262 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	52
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC52,.8SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大待机电流：	0.004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	19.1262 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V321L25JI8 数据手册

IDT71V321S/L

IDT71V421S/L

HIGH SPEED 3.3V

2K X 8 DUAL-PORT

STATIC RAM WITH INTERRUPTS

ꢀeatures

◆

MASTER IDT71V321 easily expands data bus width to 16-

or-more-bits using SLAVE IDT71V421

High-speed access

– Commercial: 25/35/55ns (max.)

– Industrial: 25ns (max.)

Low-power operation

◆

On-chip port arbitration logic (IDT71V321 only)

BUSY output flag on IDT71V321; BUSY input on IDT71V421

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention (L only)

TTL-compatible, single 3.3V power supply

Available in 52-pin PLCC, 64-pin TQFP and STQFP

packages

◆

– IDT71V321/IDT71V421S

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT71V321/V421L

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

Two INT flags for port-to-port communications

ꢀunctionalBlockDiagram

OER

OEL

CER

CEL

R/WR

R/WL

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYR

BUSYL

A10L

A0L

A10R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0R

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

CE_L

OE_L

CER

OER

R/WR

R/WL

(2)

INTL

INTR

3026 drw 01

NOTES:

1. IDT71V321 (MASTER): BUSY is an output. IDT71V421 (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY and INT are totem-pole outputs.

AUGUST 2001

DSC-3026/8

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IDT71V321L25JI8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V321L25PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L25PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT71V321L25PFGI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71V321L25PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L25PFI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT71V321L25TF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L25TFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L25TFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT71V321L25TFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321L35J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT

与IDT71V321L25JI8相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

33
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V321L25JI8

IDT71V321L25JI8 技术参数

IDT71V321L25JI8 数据手册

与IDT71V321L25JI8相关器件

与IDT71V321L25JI8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V321L25JI8

IDT71V321L25JI8 技术参数

IDT71V321L25JI8 数据手册

与IDT71V321L25JI8相关器件

与IDT71V321L25JI8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？