Datasheet > IDT71V2579YSA75BQ

IDT71V2579YSA75BQ

更新时间： 2024-11-25 05:31:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	291K
描述
128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V2579YSA75BQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA,
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V2579YSA75BQ 数据手册

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V2579YSA75BQ的Datasheet PDF文件第7页

IDT71V2577S

IDT71V2579S

IDT71V2577SA

IDT71V2579SA

128K x 36, 256K x 18

3.3V Synchronous SRAMs

2.5V I/O, Flow-Through Outputs

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Description

Features

◆

The IDT71V2577/79 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V2577/79SRAMs containwrite,data,

address andcontrolregisters.Therearenoregisters inthedataoutput

path (flow-through architecture). Internal logic allows the SRAM to

generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆

Supports fast access times:

Commercial:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

CommercialandIndustrial:

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball

grid array (fBGA)

theendofthewritecycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V2577/79canprovidefourcyclesofdata

fora single address presentedtothe SRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe

arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof

the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the

subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe

next three rising clock edges. The order of these three addresses are

definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.

◆

The IDT71V2577/79 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁷

Address Inputs

Input

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

Chip Enable

CS⁰, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Clock

Input

Output

Input

I/O

N/A

Synchronous

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

V^SS

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

4877 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2579.

JUNE 2003

DSC-4877/08

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT71V2579YSA75BQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V2579YSA75BQG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V2579YSA75BQI	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA75PF	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA75PFI	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80BG	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80BGI	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80BQ	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80BQI	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80PF	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2579YSA80PFI	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin

与IDT71V2579YSA75BQ相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

41
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2579YSA75BQ

IDT71V2579YSA75BQ 技术参数

IDT71V2579YSA75BQ 数据手册

与IDT71V2579YSA75BQ相关器件

与IDT71V2579YSA75BQ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2579YSA75BQ

IDT71V2579YSA75BQ 技术参数

IDT71V2579YSA75BQ 数据手册

与IDT71V2579YSA75BQ相关器件

与IDT71V2579YSA75BQ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？