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IDT71V2579YSA80BG

更新时间： 2024-11-25 05:31:39

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艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	291K
描述
128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect

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IDT71V2579YSA80BG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e3	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V2579YSA80BG 数据手册

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IDT71V2577S

IDT71V2579S

IDT71V2577SA

IDT71V2579SA

128K x 36, 256K x 18

3.3V Synchronous SRAMs

2.5V I/O, Flow-Through Outputs

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Description

Features

◆

The IDT71V2577/79 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V2577/79SRAMs containwrite,data,

address andcontrolregisters.Therearenoregisters inthedataoutput

path (flow-through architecture). Internal logic allows the SRAM to

generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆

Supports fast access times:

Commercial:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

CommercialandIndustrial:

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball

grid array (fBGA)

theendofthewritecycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V2577/79canprovidefourcyclesofdata

fora single address presentedtothe SRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe

arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof

the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the

subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe

next three rising clock edges. The order of these three addresses are

definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.

◆

The IDT71V2577/79 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁷

Address Inputs

Input

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

Chip Enable

CS⁰, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Clock

Input

Output

Input

I/O

N/A

Synchronous

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

V^SS

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

4877 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2579.

JUNE 2003

DSC-4877/08

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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