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IDT7164S85DB

更新时间： 2024-11-13 22:57:19

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
9页	108K
描述
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

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IDT7164S85DB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37.211 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.0002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

IDT7164S85DB 数据手册

IDT7164S

IDT7164L

CMOS STATIC RAM

64K (8K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• High-speed address/chip select access time

— Military: 20/25/30/35/45/55/70/85ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35/70ns (max.)

• Low power consumption

• Battery backup operation — 2V data retention voltage

(L Version only)

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

• Inputs and outputs directly TTL-compatible

• Three-state outputs

The IDT7164 is a 65,536 bit high-speed static RAM orga-

nized as 8K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance,

high-reliability CMOS technology.

Address access times as fast as 15ns are available and the

circuit offers a reduced power standby mode. When CS1 goes

HIGH or CS2 goes LOW, the circuit will automatically go to,

and remain in, a low-power stand by mode. The low-power (L)

version also offers a battery backup data retention capability

at power supply levels as low as 2V.

All inputs and outputs of the IDT7164 are TTL-compatible

and operation is from a single 5V supply, simplifying system

designs. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring

no clocks or refreshing for operation.

• Available in:

— 28-pin DIP and SOJ

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

The IDT7164 is packaged in a 28-pin 300 mil DIP and SOJ;

and 28-pin 600 mil DIP.

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A₀

V_CC

GND

65,536 BIT

ADDRESS

DECODER

MEMORY ARRAY

A₁₂

I/O

I/O CONTROL

I/O 7

CS₁

CS₂

CONTROL

LOGIC

2967 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

2967/8

For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

6.1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT7164L85DB	IDT	功能相似	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7164S85DI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28
IDT7164S85DM	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28
IDT7164S85EB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT7164S85L28B	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7164S85L28B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT7164S85L32B	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7164S85L32M	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC32
IDT7164S85P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S85PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S85TB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28

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