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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.63 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 17.9324 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.556 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 7.5184 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S19J | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7164S19P | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IDT7164S19SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
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| IDT7164S19TP | ETC |
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x8 SRAM |
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| IDT7164S19Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28 |
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| IDT7164S200DB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT7164S200EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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| IDT7164S200L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT7164S200L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT7164S200L32B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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