是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.39 |
最长访问时间: | 19 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.576 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.699 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S20PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S20PE | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S20PE8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S20PG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDIP28 | |
IDT7164S20PGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7164S20SO | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S20TC | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S20TCB | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S20TD | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S20TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |