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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.330 INCH, SOIC-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 19 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.3642 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8.763 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S19TP | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT7164S19Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28 |
|
| IDT7164S200DB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT7164S200EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7164S200L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT7164S200L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT7164S200L32B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7164S200TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT7164S200TDB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT7164S200XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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