是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.09 |
最长访问时间: | 19 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 17.9324 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.00006 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164LS20YGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7164LS25YGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7164LS35PG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7164LS35PGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7164LS35YGI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7164S | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S_07 | IDT |
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CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) | |
IDT7164S100DB | ETC |
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SRAM|8KX8|CMOS|DIP|28PIN|CERAMIC | |
IDT7164S100DM | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S100EB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |