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IDT7164S100L28B

更新时间： 2024-11-14 20:03:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	282K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT7164S100L28B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	LCC-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.69
最长访问时间：	100 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.4554 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.45SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.54 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.4554 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7164S100L28B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT7164S100L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7164S100L32B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7164S100TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
IDT7164S100TDB	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7164S100XEB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT7164S120DM	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDIP28
IDT7164S120EB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT7164S120L28B	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7164S120L28B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28