是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QLCC |
包装说明: | QCCN, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.39 |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | S-CQCC-N28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.4554 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.4554 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S100L32B | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7164S100L32B8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7164S100TCB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S100TDB | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S100XEB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164S120DM | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S120EB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164S120L28B | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S120L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT7164S120TCB | ETC |
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x8 SRAM |