5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 61.849 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.0015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7142LA25PGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
|
| IDT7142LA25PI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
|
| IDT7142LA30F | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 |
|
| IDT7142LA30FB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 |
|
| IDT7142LA30J | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7142LA30J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7142LA30JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7142LA30JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7142LA30L48 | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7142LA30L48B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
