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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCN, LCC48,.56SQ,40 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.02 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-XQCC-N48 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 14.3002 mm |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC48,.56SQ,40 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.016 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14.3002 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140LA100L48GI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48 |
|
| IDT7140LA100L48I | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |
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| IDT7140LA100L48I8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48 |
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| IDT7140LA100L52 | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT7140LA100L52B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT7140LA100LB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |
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| IDT7140LA100P | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA100PB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA100PDGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.610 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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| IDT7140LA100PDGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.610 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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