是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC52,.8SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140LA100JG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA100JGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA100JGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA100JGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52 | |
IDT7140LA100JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7140LA100JI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52 | |
IDT7140LA100L | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7140LA100L48 | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA100L48B | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA100L48B8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48 |