是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | CERAMIC, FP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.66 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQFP-F48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFF | 封装等效代码: | QFL48,.75SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.7432 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7134SA35F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA35FB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7134SA35FB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA35FG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE | |
IDT7134SA35FG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA35FGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA35FGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE | |
IDT7134SA35FGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA35FI | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7134SA35FI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |