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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 32768 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7134SA35JGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT7134SA35JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7134SA35JI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT7134SA35L48 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7134SA35L488 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 |
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| IDT7134SA35L48B | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7134SA35L48BG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CQCC48, LCC-48 |
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| IDT7134SA35L48G8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 |
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| IDT7134SA35L48GB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 |
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| IDT7134SA35L48GI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 |
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