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IDT71322S70CB

更新时间： 2024-09-29 19:59:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	454K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48

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IDT71322S70CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BATTERY BACKUP OPERATION
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP48,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71322S70J	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71322S70JB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71322S70JBG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71322S70L52	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52
IDT71322S70L52B	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52
IDT71322S70P	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT71322S70PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT713256SL20Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT713256SL25Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT713256SL30Y	ETC	获取价格	x8 SRAM