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IDT7132LA100JG8

更新时间: 2024-11-16 14:02:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 671K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT7132LA100JG8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.09
最长访问时间:100 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e3
长度:19.1262 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:52
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

IDT7132LA100JG8 数据手册

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