是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | PLASTIC, LCC-52 |
针数: | 52 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | BATTERY BACKUP OPERATION |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 52 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 19.1262 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71322S70JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT71322S70JBG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT71322S70L52 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52 | |
IDT71322S70L52B | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52 | |
IDT71322S70P | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT71322S70PB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT713256SL20Y | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT713256SL25Y | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT713256SL30Y | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7132L120CC | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP48 |