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IDT71322S70J

更新时间: 2024-11-16 19:59:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 454K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT71322S70J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:PLASTIC, LCC-52
针数:52Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:BATTERY BACKUP OPERATION
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:52
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

IDT71322S70J 数据手册

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