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IDT71322S45CB

更新时间： 2024-11-16 19:59:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	454K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48

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IDT71322S45CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP OPERATION	JESD-30 代码：	R-CDIP-T48
JESD-609代码：	e0	长度：	60.96 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.826 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71322S45J	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT71322S45JB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71322S45JBG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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IDT71322S45PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT71322S50C	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 50ns, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48
IDT71322S50CB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 50ns, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48
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IDT71322S50JBG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 50ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71322S50JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 50ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52