是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, | 针数: | 208 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.44 |
最长访问时间: | 15 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B208 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 2359296 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 208 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.7 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V639S15BFGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT70V639S15BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V639S15BFI8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA208 | |
IDT70V639S15PRF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V639S15PRF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128 | |
IDT70V639S15PRF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128 | |
IDT70V639S15PRFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128 | |
IDT70V639S15PRFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 | |
IDT70V639S15PRFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128 | |
IDT70V639S15PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |