是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | FPBGA-100 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA100,10X10,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大待机电流: | 0.003 A | 最小待机电流: | 2.4 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70T9159L12BF1 | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70T9159L12BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100 | |
IDT70T9159L12PF | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70T9159L12PF1 | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70T9159L12PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70T9159L12PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70T9159L12PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70T9159L12PFI | IDT |
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SRAM | |
IDT70T9159L7BF | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70T9159L7BF1 | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |