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IDT70T3589S133BCI

更新时间： 2024-11-25 05:12:11

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
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描述
HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT70T3589S133BCI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	针数：	256
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.16
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B256	JESD-609代码：	e0
长度：	17 mm	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	256
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA256,16X16,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5,2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	2.4 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.45 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	17 mm	Base Number Matches：	1

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HIGH-SPEED 2.5V

256/128/64K x 36

IDT70T3519/99/89S

SYNCHRONOUS

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode

2.5V (±100mV) power supply for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA), a 208-pin

Plastic Quad Flatpack (PQFP) and 208-pin fine pitch Ball

Grid Array (fpBGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

Due to limited pin count JTAG is not supported on the 208-

pin PQFP package

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed data access

◆

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

◆

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Interrupt and Collision Detection Flags

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

FunctionalBlockDiagram

BE3R

BE3L

BE2L

BE1L

BE0L

BE2R

BE1R

BE0R

FT/PIPE

0a 1a

0b 1b

0c 1c

0d 1d

1d 0d

1c 0c

1b 0b

1a 0a

FT/PIPER

1/0

R/WL

R/WR

CE0L

CE0R

CE1R

CE1L

B B B

1/0

W W W W W W W W

Dout0-8_L

Dout0-8_R

Dout9-17_L

Dout18-26_L

Dout27-35_L

Dout9-17_R

Dout18-26_R

Dout27-35_R

1d 0d 1c 0c

1b 0b 1a 0a

0a 1a 0b 1b

0c 1c 0d 1d

d c b a

0/1

FT/PIPE

a bc d

256/128/64K x 36

MEMORY

ARRAY

I/O0L - I/O35L

I/O0R - I/O35R

Din_L

Din_R

CLK

(1)

17R

(1)

17L

Counter/

Address

Reg.

Counter/

Address

Reg.

REPEAT

ADS

REPEAT

ADS

CNTEN

ADDR_R

ADDR_L

CNTEN

TDI

TCK

TMS

TRST

INTERRUPT

CE0

CE1

JTAG

COLLISION

DETECTION

LOGIC

CE1

TDO

R/W

COL

INT

(2)

ZZR

CONTROL

LOGIC

5666 drw 01

NOTES:

1. Address A17 is a NC for the IDT70T3599. Also, Addresses A17 and A16 are NC's for the IDT70T3589.

2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/FTx and OPTx

APRIL 2004

and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.

DSC 5666/6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70T3589S-133BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF
IDT70T3589S133BCI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-2
IDT70T3589S133BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF
IDT70T3589S-133BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF
IDT70T3589S133BF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FP
IDT70T3589S133BFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GR
IDT70T3589S133BFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA208
IDT70T3589S133BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GR
IDT70T3589S133BFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 64KX36, 15ns, CMOS, PBGA208
IDT70T3589S133BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF

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