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IDT70T34L25PFGI

更新时间： 2024-10-29 20:42:15
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 251K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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IDT70T34L25PFGI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：PLASTIC, TQFP-100针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：25 nsJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：14 mm
内存密度：73728 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

IDT70T34L25PFGI 数据手册

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HIGH-SPEED 2.5V  
8/4K x 18 DUAL-PORT  
8/4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
PRELIMINARY  
IDT70T35/34L  
IDT70T25/24L  
Features  
width to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave  
select when cascading more than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
BUSY and Interrupt Flag  
On-chip port arbitration logic  
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
reads of the same memory location  
High-speed access  
IDT70T35/34L (IDT70T25/24L)  
– Commercial: 20/25ns (max.)  
– Industrial: 25ns (max.)  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Low-power operation  
– IDT70T35/34L (IDT70T25/24L)  
Active:200mW(typ.)  
Standby: 600µW(typ.)  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 2.5V (±100mV) power supply  
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) package  
and 100-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA)  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed  
bus compatibility  
IDT70T35/34L (IDT70T25/24L) easily expands data bus  
Functional Block Diagram  
R/W  
L
R/W  
R
R
UBL  
UB  
LB  
CE  
OE  
R
R
R
LB  
CE  
OE  
L
L
L
,
(5)  
(5)  
(4)  
I/O9R-I/O17R  
I/O9L-I/O17L  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
(4)  
I/O0R-I/O8R  
I/O0L-I/O8L  
BUSY (2,3)  
L
(2,3)  
BUSY  
R
(1)  
12L  
(1)  
A
A
A
12R  
0R  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A0L  
13  
13  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
R
CE  
OE  
R/W  
L
L
R
R
L
SEM  
R
SEM  
INT  
L
L
(3)  
(3)  
INTR  
M/S  
5639 drw 01  
NOTES:  
1. A12 is a NC for IDT70T34 and IDT70T24.  
2. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
3. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
4. I/O0x - I/O7x for IDT70T25/24.  
5. I/O8x - I/O15x for IDT70T25/24.  
DECEMBER 2002  
1
DSC-5639/2  
©2002 IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...21

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与IDT70T34L25PFGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70T34L25PFI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
IDT70T34L25PFI8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
IDT70T35 IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T3509M IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3509M133BP IDT

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 		Multi-Port SRAM, 1MX36, 4.2ns, CMOS, PBGA256
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IDT70T3509MS133BPGI IDT

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