是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-144 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 10 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G144 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 2359296 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 20 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70T3399S200DDI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTER | |
IDT70T34L | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70T34L20BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100 | |
IDT70T34L20PF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70T34L25BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100 | |
IDT70T34L25BFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100 | |
IDT70T34L25PF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70T34L25PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70T34L25PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70T34L25PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |