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IDT7030SA25CB

更新时间： 2024-10-27 20:34:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	412K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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IDT7030SA25CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	BATTERY BACK-UP	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP48,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7030SA25P	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7030SA35C	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7030SA35CB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7030SA35P	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7030SA35PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7030SA45CB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7030SA45PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 45ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7030SAC	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48
IDT7030SAP	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7032LA20C	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM