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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | BATTERY BACK-UP |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 61.849 mm | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7030LA45CB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
|
| IDT7030LAC | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48 |
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| IDT7030LAP | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT7030SA20C | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
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| IDT7030SA20P | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT7030SA25C | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT7030SA25CB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
|
| IDT7030SA25P | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7030SA35C | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
|
| IDT7030SA35CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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