是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.42 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.255 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7027L35PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT7027L35PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7027L35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT7027L35PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7027L55 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, CPGA108, CERAMIC, PGA-108 | |
IDT7027L55G | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7027L55GB | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7027L55GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, CPGA108, CERAMIC, PGA-108 | |
IDT7027L55GGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, CPGA108, CERAMIC, PGA-108 | |
IDT7027L55GI | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |