是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | CAVITY-DOWN, QFP-84 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.66 |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQFP-F84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.21 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFF |
封装等效代码: | QFL84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 29.21 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7024S30G | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA84, CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84 | |
IDT7024S30J | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM | |
IDT7024S30JG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7024S30JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7024S30PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PPGA84, PLASTIC, PGA-84 | |
IDT7024S35F | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7024S35FB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7024S35FG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84 | |
IDT7024S35FGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84 | |
IDT7024S35G | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |