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IDT7024S30G

更新时间： 2024-12-01 20:35:19

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	722K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA84, CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84

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IDT7024S30G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84	针数：	84
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P84
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	84	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4KX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA84M,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7024S30J	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7024S30JG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024S30JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024S30PG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PPGA84, PLASTIC, PGA-84
IDT7024S35F	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024S35FB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024S35FG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84
IDT7024S35FGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, 1.170 X 1.170 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-84
IDT7024S35G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024S35GB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM