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IDT70125L25J8

更新时间： 2024-01-12 11:36:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 127K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX9, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52

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IDT70125L25J8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52针数：52
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.34
最长访问时间：25 ns其他特性：INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQCC-J52
JESD-609代码：e0长度：19.1262 mm
内存密度：18432 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：9湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：52字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX9输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC52,.8SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.57 mm最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.22 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：19.1262 mm

IDT70125L25J8 数据手册

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IDT70121/IDT70125  
High-Speed 2K x 9 Dual-Port Static RAM with Busy & Interrupt  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
RecommendedDC  
OperatingConditions  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
GND Ground  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect  
to GND  
-0.5 to +7.0  
V
VCC  
4.5  
5.0  
5.5  
0
V
V
V
0
0
T
BIAS  
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
50  
oC  
oC  
V
IH  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
6.0(2)  
0.8  
____  
VIL  
-0.5(1)  
V
____  
Storage  
Temperature  
TSTG  
2654 tbl 03  
NOTES:  
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.  
IOUT  
DC Output  
Current  
mA  
2654 tbl 01  
NOTES:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliabilty.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns  
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > Vcc + 10%.  
Capacitance(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Conditions(1)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Max. Unit  
CIN  
VIN = 3dV  
9
pF  
COUT  
VOUT = 3dV  
10  
pF  
2654 tbl 04  
NOTE:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
MaximumOperatingTemperature  
andSupplyVoltage(1)  
Grade  
Ambient  
GND  
Vcc  
Temperature  
Commercial  
Industrial  
0OC to +70OC  
0V  
0V  
5.0V  
5.0V  
+
+
10%  
10%  
-40OC to +85OC  
2654 tbl 02  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (VCC = 5.0V ± 10%)  
70121S  
70125S  
70121L  
70125L  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
CC = 5.5V, VIN = 0V to VCC  
CC = 5.5V, CE = VIH, VOUT = 0V to VCC  
OL = +4mA  
OH = -4mA  
Min.  
Max.  
10  
Min.  
Max.  
5
Unit  
µA  
µA  
V
(1)  
___  
___  
|ILI|  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output Low Voltage  
V
___  
___  
___  
___  
|ILO  
|
V
10  
5
VOL  
I
0.4  
0.4  
___  
___  
VOH  
Output High Voltage  
I
2.4  
2.4  
V
2654 tbl 05  
NOTE:  
1. At Vcc < 2.0V leakages are undefined.  
3
APRIL 05, 2006  
1234567...15

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