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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.34 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 18432 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 19.1262 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT70125L25JG | IDT | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| IDT70125L25JGI | IDT | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| IDT70125L25L | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX9, 25ns, CMOS, CQCC52 |
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| IDT70125L25L52 | ETC | x9 Dual-Port SRAM |
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| IDT70125L35J | IDT | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| IDT70125L35J8 | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
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