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IDT6167SA70DB

更新时间： 2024-10-01 22:57:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	67K
描述
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT)

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IDT6167SA70DB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.300 INCH, CERDIP-20
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.81	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-GDIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	25.3365 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX1
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP20,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

IDT6167SA70DB 数据手册

IDT6167SA

IDT6167LA

CMOS STATIC RAM

16K (16K x 1-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

Access times as fast as 15ns are available. The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a standby

mode as long as CS remains HIGH. This capability provides

significant system-level power and cooling savings. The low-

power (LA) version also offers a battery backup data retention

capability where the circuit typically consumes only 1µW

operating off a 2V battery.

FEATURES:

• High-speed (equal access and cycle time)

— Military: 15/20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35ns (max.)

• Low power consumption

• Battery backup operation — 2V data retention voltage

(IDT6167LA only)

• Available in 20-pin CERDIP and Plastic DIP, and 20-pin

SOJ

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

All inputs and the output of the IDT6167 are TTL-compat-

ible and operate from a single 5V supply, thus simplifying

system designs.

TheIDT6167ispackagedinaspace-saving20-pin, 300mil

Plastic DIP or CERDIP, Plastic 20-pin SOJ, providing high

board-level packing densities.

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

• CMOS process virtually eliminates alpha particle soft-

error rates

• Separate data input and output

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

DESCRIPTION:

The lDT6167 is a 16,384-bit high-speed static RAM orga-

nized as 16K x 1. The part is fabricated using IDT’s high-

performance, high reliability CMOS technology.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

VCC

GND

16,384-BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODE

A13

DIN

DOUT

I/O CONTROL

CONTROL

LOGIC

2981 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MARCH 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

2981/5

5.2

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6167SA70DI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20
IDT6167SA70DM	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20
IDT6167SA70EB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDFP20, 0.300 INCH, CERPACK-20
IDT6167SA70LB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20, 0.300 INCH, LCC-20
IDT6167SA70P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT)
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