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IDT6167SAF

更新时间: 2024-10-02 20:30:11
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 636K
描述
Standard SRAM, 16KX1, CMOS

IDT6167SAF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
I/O 类型:SEPARATEJESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT6167SAF 数据手册

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